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BW-4022C半导体光耦压敏锂亚电池综合测试系统

来自陕西博微电通科技有限责任公司

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发布时间 2025-03-05 13:47:25 关注次数 41

陕西博微电通科技有限责任公司

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图文介绍产品参数供应商信息

BW-4022C

半导体综合测试系统

BW-4022C半导体综合测试系统是针对于半导体器件开发专用测试的系统，经我公司产品升级与开发，目前亦可以对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种器件进行参数测试，性能、精度、测试范围均满足客户测试需求，可用于客户端来料检验、研发分析、产品选型等重要检测设备之一。

BW-4022C 半导体综合测试系统采用大规模 32 位 ARM&MCU 设计， PC 中文操作界面，程控软件基于 Lab VIEW 平台，填充调用式菜单操作界面，测试界面简洁灵活、人机界面友好。配合开尔文综合集成测试插座，根据不同器件更换测试座配合，系统可适配设置完成对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种元件的静态参数测试。

该测试系统主要由测试主机和程控电脑及外部测试夹具三部分组成，并接受客户端MES系统进行测试指令：方案选取/开始/暂停/停止/数据上传等操作执行，并可将测试数据上传至MES系统由客户端处理。

BW-4022C半导体综合测试系统可同时针对：

【光耦】

适用于〖三极管管型光耦/可控硅光耦/继电器光耦〗进行测试。

【二极管】

--Kelvin /Type_ident /Pin_test /Vrrm/Irrm/V/△Vf/V_Vrrm/I_Irrm/△Vrrm；

〖Diode /稳压Diode/ZD/SBC/TVS/整流桥堆〗进行测试。

【压敏电阻】

〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗进行测试。

【锂亚电池】

〖Kelvin/电池空载电压（Vbt）/负载电压(Vbt_load ) /测试电流（0-10A 恒流）/负载电压变化值（▲Vbt_load）/电池内阻(Vbt Res) 等进行测试。

【晶振】

〖震荡频率(Freq_osc )/谐振电阻（Ri）/频率精度(Freq_ppm)/测试频率范围（10kHz~10MHz）等测试。

【其他测试功能可定制拓展】

一、设备规格与环境要求

物理规格

主机尺寸：深 660*宽 430*高 210(mm) 台式

主机重量：＜25kg

产品色系：白色系

工况环境

主机功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超过 1500m；

环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；

相对湿度： 20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；

大气压力：86Kpa～106Kpa；

防护条件：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等；

供电要求

电源配置：AC220V±10%、50Hz±1Hz；

工作时间：连续；

二、测试种类与技术指标

1、光耦测试：

输入（bbbbb）相关参数

· 正向电压（Forward Voltage）：

· 符号：Vf

· 最小值：无

· 典型值：1.2 V

· MAX值：1.4 V

· 单位：V

· 测试条件：If=20mA

· 反向电流（Reverse Current）：

· 符号：Ir

· 最小值：无

· 典型值：无

· MAX值：10 μA

· 单位：μA

· 测试条件：Vr=4V

输出（Output）相关参数

· 集电极暗电流（Collector Dark Current）：

· 符号：Iceo

· 最小值：无

· 典型值：无

· MAX值：100 nA

· 单位：nA

· 测试条件：Vce-20V,If=0

· 集电极 - 发射极击穿电压（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：

· 符号：BVceo

· 最小值：80 V

· 典型值：无

· MAX值：无

· 单位：V

· 测试条件：Ic-0.1mA,If=0

· 发射极 - 集电极击穿电压（Emitter-Collector Breakdown Voltage）：

· 符号：BVeco

· 最小值：6 V

· 典型值：无

· MAX值：无

· 单位：V

· 测试条件：Ie-10μA,,If=0

· 集电极电流（Collector Current）：

· 符号：Ic

· 最小值：2.5 mA

· 典型值：无

· MAX值：30 mA

· 单位：mA

· 测试条件：If=5mA,Vce-5V

· 电流传输比（Current Transfer Ratio）：

· 符号：CTR

· 最小值：50 %

· 典型值：无

· MAX值：600 %

· 单位：%

· 测试条件：If=5mA,Vce-5V

传输特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相关参数

· 集电极 - 发射极饱和电压（Collector-Emitter Saturation Voltage）：

· 符号：Vce

· 最小值：无

· 典型值：0.1 V

· MAX值：0.2 V

· 单位：V

· 测试条件：If=20mA,Ic-1mA

· 隔离电阻（Isolation Resistance）：

· 符号：Riso

· 最小值： Ω

· 典型值： Ω

· MAX值：无

· 单位：Ω

· 测试条件：DC500V, 40 - 60% R.H.

（以上参数基于晶体管LTV-816-Cu series特性参数）

三极管管型光耦

可控硅光耦

继电器光耦

2、二极管类测试

· 二极管类：二极管

· Diode

· Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf ，△Vf ，△Vrrm ，Tr（选配）；

二极管类：稳压二极管

· ZD（Zener Diode）

· Kelvin ，Vz ，lr ，Vf ，△Vf ，△Vz ；

二极管类：稳压二极管

· ZD（Zener Diode）

· Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz；

二极管类：三端肖特基二极管 SBD（SchottkyBarrierDiode）

· Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm；

二极管类：瞬态二极管

· TVS

· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm ；

二极管类：整流桥堆

· Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

二极管类：三相整流桥堆

· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

3、压敏电阻测试

· Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm 、 △Vr ;（参数配置精度与二极管一致）

4、锂亚电池测试

· Kelvin(0~150mV)

· 电池空载电压（Vbt） 0-100V +-0.2%

· 负载电压(Vbt_load ) 0-100V +-0.5% 测试电流（0-10A 恒流）

· 负载电压变化值（▲Vbt_load）0-10v +-5% 测试电流（0-10A 恒流）

· 电池内阻(Vbt Res) 0-10v +-5% 测试电流（0-10A 脉冲）

5、晶振测试

· 震荡频率(Freq_osc )

· 谐振电阻（Ri）

· 频率精度(Freq_ppm)

· 测试频率范围（10kHz~10MHz）

测试参数	符号	量程	测试范围	测试条件	测量精度
震荡频率	Fosc	10kHz~100kHz 100kHz~1MHz 1MHz~5MHz 5MHz~10MHz	10kHz~10MHz		0.1Hz
谐振电阻	Rz	0~100K			±10%
频率精度	ppm		0-1000		0.01%

三、参数配置与性能指标

1. 电流/电压源 VIS自带VI测量单元

1）加压（FV）

量程	分辨率	精度
±40V	19.5mV	± 1%设定值+FullRange0.1%± 19.5mV
±20V	10mV	±1% 设定值+FullRange0.1%±10mV
±10V	5mV	±1% 设定值+FullRange0.1%±5mV
±5V	2mV	±1% 设定值+FullRange0.1%±2mV
±2V	1mV	±1% 设定值+FullRange0.1%±2mV

2)加流(FI)：

量程	分辨率	精度
±100A	195mA	±2% 设定值+FullRange0.1%±100mA
±40A	19.5mA	±2% 设定值+FullRange0.1%±30mA
±4A	1.95mA	±1% 设定值+FullRange0.1%±2mA
±400mA	119.5uA	±1% 设定值+FullRange0.1%±200uA
±40mA	11.95uA	±1% 设定值+FullRange0.1%±20uA
±4mA	195nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±200nA
±400uA	19.5nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±20nA
±40uA	1.95nA	±2% 设定值+FullRange0.1%±2nA

说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调

3). 电流测量(MI)

量程	分辨率	精度
±100A	12.2mA	±5% 读数值+FullRange0.2%±100mA
±40A	1.22mA	±1% 读数值+FullRange0.1%±20mA
±4A	122uA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mA
±400mA	12.2uA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uA
±40mA	1.22uA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uA
±4mA	122nA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2uA
±400uA	12.2nA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200nA
±40uA	1.22nA	±1% 读数值+FullRange0.1%±20nA

4). 电压测量(MV)

量程	分辨率	精度
±40V	1.22mV	±1% 读数值+FullRange0.1%±20mV
±20V	122uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mV
±10V	12.2uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uV
±5V	1.22uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uV

2. 数据采集部分 VM （16位ADC，100K/S采样速率）

1). 电压测量(MV)

量程	分辨率	精度
±2000V	1.22mV	±1% 读数值+FullRange0.1%±20mV
±100V	122uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mV
±10V	12.2uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uV
±1V	1.22uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uV

2). 漏电流测量(MI)

量程	分辨率	精度
±100mA	30uA	±1% 读数值+FullRange0.1%±30uA
±10mA	3uA	±1% 读数值+FullRange0.1%±3uA
±1mA	300nA	±1% 读数值+FullRange0.1%±300nA
±100uA	30nA	±1% 读数值+FullRange0.1%±30nA
±10uA	3nA	±1% 读数值+FullRange0.1%±10nA
±1uA	300pA	±1% 读数值+FullRange0.1%±10nA
±100nA	30pA	±1% 读数值+FullRange0.1%±5nA

3. 高压源 HVS(基本)16位DAC

1).加压(FV)

量程	分辨率	精度
2000V/10mA	30.5mV	±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV
200V/10mA	30.5mV	±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV
40V/50mA	30.5mV	±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV

2).加流(FI)：

量程	分辨率	精度
10mA	4.88uA	±2% 设定值+FullRange0.1%±10uA
2mA	488nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±2uA
200uA	48.8nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±200nA
20uA	4.88nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±20nA
2uA	488pA	±2% 设定值+FullRange0.1%±10nA

品牌博微

型号BW-4022C

类型多参数测量仪

测量对象MOS,二极管,光耦,IGBT,压敏电阻,锂亚电池

测量范围40A/100A/200A,1400V/2000V

测量精度0.1%16ADC

频率50HZ

功率300瓦

电源AC220V

加工定制是

外形尺寸其他

重量28Kg

产地西安

陕西博微电通科技有限责任公司

公司类型私营有限责任公司
经营模式生产加工-私营有限责任公司
联系人武先生
联系手机15353786259
联系固话029-33197397
公司地址陕西省西咸新区沣东新城鑫森源产业园

主营业务

半导体分立器件测试，光耦测试设备，宽禁带半导体测试

陕西博微电通科技有限责任公司是一家致力于高精度半导体测试设备、电力电子设备、电池安全管理系统及电力储能解决方案的集研发、生产、销售的高科技企业。公司位于古城西安西咸新区沣东新城能源金贸区，地理位置环境优越，依托西安众多高校及研究所，公司拥有一批高素质人才队伍，从软件开发、硬件设计、系统集成、产品升级迭代及售后服务均由专业技术人员完成，多年来公司与深圳、西安、杭州等多家高科技企业合作开发出针对半导体测试、电力电子、能源管理系统系列产品，经过技术迭代，产品功能先进，产品质量可靠，市场口碑优秀。公司注重产品质量，更注重客户服务满意度及产品体验，每一款产品出厂前都经过严格的检验或第三方机构监测，并持续优化产品功能、根据客户需求定制或迭代升级产品。我们秉承“博厚共赢、服务入微”理念竭诚为每一位客户提供先进、高品质的产品与服务，帮助解决客户实际使用痛点，开发难点，节约生产成本提高工作效率，助力行业发展。

一、 设备规格与环境要求

二、测试种类与技术指标

1、光耦测试：

输入（bbbbb）相关参数

输出（Output）相关参数

传输特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相关参数

5、晶振测试

三、参数配置与性能指标

1. 电流/电压源 VIS自带VI测量单元

1）加压（FV）

2)加流(FI)：

3). 电流测量(MI)

4). 电压测量(MV)

1). 电压测量(MV)

2). 漏电流测量(MI)

1).加压(FV)

2).加流(FI)：

一、设备规格与环境要求